TS3USB221AQRSERQ1 TI
| Disponível |
TS3USB221AQRSERQ1 TI
• Qualificado para aplicações automotivas
• AEC-Q100 qualificado com os seguintes resultados:
– Grau de temperatura do dispositivo 1: –40°C a 125°C Faixa de temperatura ambiente de operação
– Dispositivo HBM ESD Classificação Nível H2
– Classificação ESD do dispositivo CDM Nível C5
• Operação VCC em 2,5 V a 3,3 V
• VI/O aceita sinais de até 5,5 V
• Entradas de pino de controle compatíveis com 1,8 V
• Modo de baixo consumo quando o OE está desativado (1 μA)
• rON = 16 Ω Máximo
• ΔrON = 0,2 Ω Típico
• Cio(on) = 6 pF Típico
• Baixo consumo de energia (máximo de 30 μA)
• Alta largura de banda (900 MHz típico)
• Desempenho ESD testado de acordo com JESD 22
– Modelo de corpo humano 7000-V (A114-B, Classe II)
– Modelo de dispositivo carregado de 1000 V (C101)
• E/S de desempenho ESD para GND de acordo com JESD 22 – modelo de corpo humano de 12 kV
• Qualificado para aplicações automotivas
• AEC-Q100 qualificado com os seguintes resultados:
– Grau de temperatura do dispositivo 1: –40°C a 125°C Faixa de temperatura ambiente de operação
– Dispositivo HBM ESD Classificação Nível H2
– Classificação ESD do dispositivo CDM Nível C5
• Operação VCC em 2,5 V a 3,3 V
• VI/O aceita sinais de até 5,5 V
• Entradas de pino de controle compatíveis com 1,8 V
• Modo de baixo consumo quando o OE está desativado (1 μA)
• rON = 16 Ω Máximo
• ΔrON = 0,2 Ω Típico
• Cio(on) = 6 pF Típico
• Baixo consumo de energia (máximo de 30 μA)
• Alta largura de banda (900 MHz típico)
• Desempenho ESD testado de acordo com JESD 22
– Modelo de corpo humano 7000-V (A114-B, Classe II)
– Modelo de dispositivo carregado de 1000 V (C101)
• E/S de desempenho ESD para GND de acordo com JESD 22 – modelo de corpo humano de 12 kV
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