NTD600N80S3Z EM
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NTD600N80S3Z EM
• RDS (ligado) = 550 m
• Carga de porta ultra baixa (Typ. Qg = 15,5 nC)
• Baixa energia armazenada na capacitância de saída (Eoss = 1,74 J @ 400 V)
• 100% testado em avalanche
• Capacidade aprimorada ESD com diodo Zener
• Compatível com RoHS
• RDS (ligado) = 550 m
• Carga de porta ultra baixa (Typ. Qg = 15,5 nC)
• Baixa energia armazenada na capacitância de saída (Eoss = 1,74 J @ 400 V)
• 100% testado em avalanche
• Capacidade aprimorada ESD com diodo Zener
• Compatível com RoHS
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