NTB110N65S3HF ATIVADO
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NTB110N65S3HF ATIVADO
• 700 V @ TJ = 150 ° C
RDS (ligado) = 98 m
• Carga de porta ultra baixa (Typ. Qg = 62 nC)
• Baixa capacitância de saída efetiva (Typ. Coss (eff.) = 522 pF)
• 100% testado em avalanche
• Esses dispositivos são livres de Pb e são compatíveis com RoHS
• 700 V @ TJ = 150 ° C
RDS (ligado) = 98 m
• Carga de porta ultra baixa (Typ. Qg = 62 nC)
• Baixa capacitância de saída efetiva (Typ. Coss (eff.) = 522 pF)
• 100% testado em avalanche
• Esses dispositivos são livres de Pb e são compatíveis com RoHS
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