NCV1362AADR2G ATIVADO
| Disponível |
NCV1362AADR2G ATIVADO
• Qualificado para aplicações automotivas
• AEC−Q100 Qualificado com os seguintes resultados
♦ Grau de temperatura do dispositivo 1: −40 ° C a + 125 ° C
♦ Classificação HBM Nível 2: ±2 kV
• Regulação lateral primária de tensão constante < ±5%
• Regulação do lado primário de corrente constante < ±5%
• Recurso LFF e BO em um pino dedicado:
• Quase-ressonante com operação de comutação em vale
• Eficiência de carga leve otimizada e desempenho em espera
• Clamp de frequência máxima (sem clamp, 80, 110 e 140 kHz)
• Limite de corrente de pico ciclo a ciclo
• Proteção contra subtensão e sobretensão de saída (UVP ou OVP)
• Proteção de curto-circuito de diodo secundário ou enrolamento
• Ampla faixa de operação VCC (até 28 V)
• Baixa corrente de inicialização
• CS & VS/ZCD Pin Proteção Curta e Aberta
• Desligamento de temperatura interna
• Jittering de frequência interna e fixa para melhor assinatura EMI
• Corrente de pico congelada dupla para otimizar a eficiência de carga leve (10% de carga) e o desempenho em espera (sem carga)
• Entrada de falha para condições de falha severas, compatível com NTC para OTP
• Estes são dispositivos livres de Pb
• Qualificado para aplicações automotivas
• AEC−Q100 Qualificado com os seguintes resultados
♦ Grau de temperatura do dispositivo 1: −40 ° C a + 125 ° C
♦ Classificação HBM Nível 2: ±2 kV
• Regulação lateral primária de tensão constante < ±5%
• Regulação do lado primário de corrente constante < ±5%
• Recurso LFF e BO em um pino dedicado:
• Quase-ressonante com operação de comutação em vale
• Eficiência de carga leve otimizada e desempenho em espera
• Clamp de frequência máxima (sem clamp, 80, 110 e 140 kHz)
• Limite de corrente de pico ciclo a ciclo
• Proteção contra subtensão e sobretensão de saída (UVP ou OVP)
• Proteção de curto-circuito de diodo secundário ou enrolamento
• Ampla faixa de operação VCC (até 28 V)
• Baixa corrente de inicialização
• CS & VS/ZCD Pin Proteção Curta e Aberta
• Desligamento de temperatura interna
• Jittering de frequência interna e fixa para melhor assinatura EMI
• Corrente de pico congelada dupla para otimizar a eficiência de carga leve (10% de carga) e o desempenho em espera (sem carga)
• Entrada de falha para condições de falha severas, compatível com NTC para OTP
• Estes são dispositivos livres de Pb
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