NCP51510MNTAG LIGADO
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NCP51510MNTAG LIGADO
• Gerar tensão de terminação de memória DDR (VTT)
• Para DDR, DDR−2, DDR−3 e DDR−4 Correntes de Fonte/Dissipador
• Suporta cargas de até ±3 A (típico), a saída é protegida contra sobrecorrente
• MOSFETs integrados com proteção contra desligamento térmico
• Resposta rápida de carga transitória
• Pino de saída PGOOD para monitorar o status da regulação de saída VTT
• Pino de entrada SS para suspender o modo de desligamento
• Referência de entrada VRI para rastreamento de tensão flexível
• Entrada VTTS para sensoriamento remoto (conexão Kelvin)
• Soft−Start− integrado, bloqueio de subtensão
• Pacote DFN pequeno, de baixo perfil de 10 pinos, 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Opção de flanco molhável para inspeção óptica aprimorada
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100 Qualificado e Compatível com PPAP*
• Este é um dispositivo livre de Pb
• Gerar tensão de terminação de memória DDR (VTT)
• Para DDR, DDR−2, DDR−3 e DDR−4 Correntes de Fonte/Dissipador
• Suporta cargas de até ±3 A (típico), a saída é protegida contra sobrecorrente
• MOSFETs integrados com proteção contra desligamento térmico
• Resposta rápida de carga transitória
• Pino de saída PGOOD para monitorar o status da regulação de saída VTT
• Pino de entrada SS para suspender o modo de desligamento
• Referência de entrada VRI para rastreamento de tensão flexível
• Entrada VTTS para sensoriamento remoto (conexão Kelvin)
• Soft−Start− integrado, bloqueio de subtensão
• Pacote DFN pequeno, de baixo perfil de 10 pinos, 3 x 3 mm
• NCV51510MWTAG − Opção de flanco molhável para inspeção óptica aprimorada
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100 Qualificado e Compatível com PPAP*
• Este é um dispositivo livre de Pb
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