NCP1380DDR2G EM
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NCP1380DDR2G EM
• Operação de controle de modo de corrente de pico quase ressonante
• Operação de comutação Valley com Valley−Lockout para operação imune a ruídos
• Recuo de frequência em carga leve para melhorar a eficiência da carga leve
• Proteção ajustável contra sobrecarga de energia
• Auto-recuperação ou proteção de curto-circuito de saída interna travada
• Temporizador interno fixo de 80 ms para proteção contra curto-circuito
• Proteção combinada contra sobretensão e sobretemperatura (versões A e B)
• Proteção combinada contra sobretensão e brown-out (versões C e D)
• +500 mA/−800 mA Capacidade de Fonte/Dissipador de Corrente de Pico
• Desligamento de temperatura interna
• Conexão direta do optoacoplador
• Operação estendida da faixa VCC até 28 V
• Potência de espera sem carga extremamente baixa
• Pacote SO−8
• Esses dispositivos são livres de Pb e são compatíveis com RoHS
• Operação de controle de modo de corrente de pico quase ressonante
• Operação de comutação Valley com Valley−Lockout para operação imune a ruídos
• Recuo de frequência em carga leve para melhorar a eficiência da carga leve
• Proteção ajustável contra sobrecarga de energia
• Auto-recuperação ou proteção de curto-circuito de saída interna travada
• Temporizador interno fixo de 80 ms para proteção contra curto-circuito
• Proteção combinada contra sobretensão e sobretemperatura (versões A e B)
• Proteção combinada contra sobretensão e brown-out (versões C e D)
• +500 mA/−800 mA Capacidade de Fonte/Dissipador de Corrente de Pico
• Desligamento de temperatura interna
• Conexão direta do optoacoplador
• Operação estendida da faixa VCC até 28 V
• Potência de espera sem carga extremamente baixa
• Pacote SO−8
• Esses dispositivos são livres de Pb e são compatíveis com RoHS
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