NCD57084DR2G LIGADO
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NCD57084DR2G LIGADO
• Corrente de saída de pico alto (+7A/−7 A)
• Baixa impedância de saída para condução IGBT aprimorada
• Atrasos de propagação curtos com correspondência precisa
• Proteção DESAT com atraso programável
• Capacidade de tensão negativa (até -9 V) para DESAT
• Fixação da porta IGBT durante curto-circuito
• Puxador ativo do portão IGBT
• Desligamento suave durante o curto-circuito IGBT
• Limites UVLO rígidos para flexibilidade de viés
• Saída de Prevenção de Pulso Parcial Durante UVLO/DESAT (Reinicialização)
• Entrada lógica de 3,3 V, 5 V e 15 V
• Isolamento Galvânico de 2,5 kVrms
• Alta imunidade transitória
• Alta imunidade eletromagnética
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100 qualificado e compatível com PPAP
• Este dispositivo é livre de Pb, livre de halogênio / BFR e é compatível com RoHS
• Corrente de saída de pico alto (+7A/−7 A)
• Baixa impedância de saída para condução IGBT aprimorada
• Atrasos de propagação curtos com correspondência precisa
• Proteção DESAT com atraso programável
• Capacidade de tensão negativa (até -9 V) para DESAT
• Fixação da porta IGBT durante curto-circuito
• Puxador ativo do portão IGBT
• Desligamento suave durante o curto-circuito IGBT
• Limites UVLO rígidos para flexibilidade de viés
• Saída de Prevenção de Pulso Parcial Durante UVLO/DESAT (Reinicialização)
• Entrada lógica de 3,3 V, 5 V e 15 V
• Isolamento Galvânico de 2,5 kVrms
• Alta imunidade transitória
• Alta imunidade eletromagnética
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100 qualificado e compatível com PPAP
• Este dispositivo é livre de Pb, livre de halogênio / BFR e é compatível com RoHS
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