MC33174VDR2G ATIVADO
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MC33174VDR2G ATIVADO
• Baixa corrente de alimentação: 180 A (por amplificador)
• Ampla faixa de operação de alimentação: 3,0 V a 44 V ou ± 1,5 V a ±22 V
• Ampla faixa de modo comum de entrada, incluindo terra (VEE)
• Largura de banda ampla: 1,8 MHz
• Alta taxa de variação: 2,1 V / s
• Baixa tensão de deslocamento de entrada: 2,0 mV
• Grande oscilação de tensão de saída: −14,2 V a +14,2 V
(com suprimentos de ±15 V)
• Grande capacidade de acionamento de capacitância: 0 pF a 500 pF
• Baixa distorção harmônica total: 0,03%
• Excelente margem de fase: 60°
• Excelente margem de ganho: 15 dB
• Proteção contra curto-circuito de saída
• Os diodos ESD fornecem proteção de entrada para dual e quad
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem
Requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100
Qualificado e Capaz de PPAP
• Esses dispositivos são livres de Pb, livres de halogênio / BFR e são compatíveis com RoHS
• Baixa corrente de alimentação: 180 A (por amplificador)
• Ampla faixa de operação de alimentação: 3,0 V a 44 V ou ± 1,5 V a ±22 V
• Ampla faixa de modo comum de entrada, incluindo terra (VEE)
• Largura de banda ampla: 1,8 MHz
• Alta taxa de variação: 2,1 V / s
• Baixa tensão de deslocamento de entrada: 2,0 mV
• Grande oscilação de tensão de saída: −14,2 V a +14,2 V
(com suprimentos de ±15 V)
• Grande capacidade de acionamento de capacitância: 0 pF a 500 pF
• Baixa distorção harmônica total: 0,03%
• Excelente margem de fase: 60°
• Excelente margem de ganho: 15 dB
• Proteção contra curto-circuito de saída
• Os diodos ESD fornecem proteção de entrada para dual e quad
• Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem
Requisitos exclusivos de mudança de local e controle; AEC−Q100
Qualificado e Capaz de PPAP
• Esses dispositivos são livres de Pb, livres de halogênio / BFR e são compatíveis com RoHS
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