MasterGaN1 ST

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MasterGaN1 ST
 
  • Sistema em pacote de 600 V integrando driver de porta de meia ponte e transistores GaN de potência de alta tensão:
    • Pacote QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS (LIGADO)= 150 mΩ
    • EuDS (MÁX.)= 10 A
  • Capacidade de corrente reversa
  • Zero perda de recuperação reversa
  • Proteção UVLO no lado baixo e no lado alto
  • Diodo de bootstrap interno
  • Função de intertravamento
  • Pino dedicado para funcionalidade de desligamento
  • Correspondência de tempo interno precisa
  • Entradas compatíveis de 3,3 V a 15 V com histerese e pull-down
  • Proteção contra superaquecimento
  • Redução da lista de materiais
  • Layout muito compacto e simplificado
  • Design flexível, fácil e rápido.


 
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