M24C02-RMN6TP ST
Disponível
M24C02-RMN6TP ST
• Compatível com os seguintes modos de barramento I2C:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Matriz de memória:
– 1 Kbit (128 bytes) de EEPROM
– 2 Kbit (256 bytes) de EEPROM
– Tamanho da página: 16 bytes
• Tensão de alimentação única:
– M24C01/02-W: 2.5 V a 5.5 V
– M24C01/02-R: 1.8 V a 5.5 V
– M24C02-F: 1.7 V a 5.5 V 1.6 V a 5.5 V (sob restrição de temperatura)
•Escrever:
– Gravação de bytes em 5 ms
– Escrita de página em 5 ms
• Faixa de temperatura operacional:
– de -40 °C até +85 °C
• Modos de leitura aleatória e sequencial
• Proteção contra gravação de toda a matriz de memória
• Proteção ESD/trava aprimorada
• Mais de 4 milhões de ciclos de gravação
• Mais de 200 anos de retenção de dados
• Compatível com os seguintes modos de barramento I2C:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Matriz de memória:
– 1 Kbit (128 bytes) de EEPROM
– 2 Kbit (256 bytes) de EEPROM
– Tamanho da página: 16 bytes
• Tensão de alimentação única:
– M24C01/02-W: 2.5 V a 5.5 V
– M24C01/02-R: 1.8 V a 5.5 V
– M24C02-F: 1.7 V a 5.5 V 1.6 V a 5.5 V (sob restrição de temperatura)
•Escrever:
– Gravação de bytes em 5 ms
– Escrita de página em 5 ms
• Faixa de temperatura operacional:
– de -40 °C até +85 °C
• Modos de leitura aleatória e sequencial
• Proteção contra gravação de toda a matriz de memória
• Proteção ESD/trava aprimorada
• Mais de 4 milhões de ciclos de gravação
• Mais de 200 anos de retenção de dados
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