IPA65R190C7 Infineon

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IPA65R190C7 INFINEON

•Aumento do MOSFETdv/dtruggedness
•Melhor eficiência devido à melhor classeFOMRDS(on)*EossandRDS(on)*Qg
•BestinclassRDS(on)/pacote
•Fácil de usar/conduzir
• Pb-freeplating, composto de molde livre de halogênio
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