IMW65R057M1H infineon
Disponível
IMW65R057M1H infineon
•Comportamento de comutação otimizado em correntes mais altas
•Comutaçãorobustode corpo rápidode diodocombaixoQrr
-Superiorconfiabilidade de óxido de porta
• Tj, max = 175 ° C e excelente comportamento térmico
•LowerRDS(on)epulsecurrentdependencyontemperature
•Aumento da capacidade de avalanche
• Compatível com drivers padrão (tensão de condução recomendada: 18V)
•Comportamento de comutação otimizado em correntes mais altas
•Comutaçãorobustode corpo rápidode diodocombaixoQrr
-Superiorconfiabilidade de óxido de porta
• Tj, max = 175 ° C e excelente comportamento térmico
•LowerRDS(on)epulsecurrentdependencyontemperature
•Aumento da capacidade de avalanche
• Compatível com drivers padrão (tensão de condução recomendada: 18V)
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