IDW32G65C5B infineon
Disponível
IDW32G65C5B infineon
Material semicondutor revolucionário - carboneto de silício
Comportamento de comutação de benchmark
Sem recuperação reversa / Sem recuperação direta
Comportamento de comutação independente da temperatura
Alta capacidade de corrente de surto
Revestimento de chumbo sem chumbo; Compatível com RoHS
Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações alvo
Tensão de ruptura testada a 35 mA2) 3)
Otimizado para operação em alta temperatura
Material semicondutor revolucionário - carboneto de silício
Comportamento de comutação de benchmark
Sem recuperação reversa / Sem recuperação direta
Comportamento de comutação independente da temperatura
Alta capacidade de corrente de surto
Revestimento de chumbo sem chumbo; Compatível com RoHS
Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações alvo
Tensão de ruptura testada a 35 mA2) 3)
Otimizado para operação em alta temperatura
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