IDH02G65C5 Infineon

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Detalhes do produto
Inquérito
IDH02G65C5 INFINEON

 Material semicondutor revolucionário - carboneto de silício
 Comportamento de comutação de benchmark
 Sem recuperação reversa / Sem recuperação direta
 Comportamento de comutação independente da temperatura
 Alta capacidade de corrente de surto
 Revestimento de chumbo sem chumbo; Compatível com RoHS
 Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações alvo
 Tensão de ruptura testada a 4,5 mA2)
 Otimizado para operação em alta temperatura
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