FDD86250 ATIVADO

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Detalhes do produto
Inquérito
FDD86250 ATIVADO
Características
Tecnologia MOSFET de porta blindada
Max rDs (ligado) = 22 meses em Vcs = 10 V, lp = 8AMax 「os (ligado) = 31 m em Vcs = 6 V, lp = 6.5A100% testado UIL
Compatível com RoHS
Descrição geral
Este MOSFET N-Channel é produzido _ usando o processo PowerTrench avançado da Fairchild Semiconductors que incorpora a tecnologia Shielded Gate. Este processo foi otimizado para a resistência no estado e ainda mantém um desempenho de comutação superior.
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