BAS516.115 NXP
Disponível
BAS516.115 NXP
• Alta velocidade de comutação: trr ≤ 4 ns
• Baixa capacitância
• Baixa corrente de fuga
• Tensão reversa: VR ≤ 100 V
• Pacote plástico SMD pequeno
• Tensão reversa de pico repetitivo: VRRM ≤ 100 V
• Alta velocidade de comutação: trr ≤ 4 ns
• Baixa capacitância
• Baixa corrente de fuga
• Tensão reversa: VR ≤ 100 V
• Pacote plástico SMD pequeno
• Tensão reversa de pico repetitivo: VRRM ≤ 100 V
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